Основные свойства:
- Компактное исполнение, позволяющее сэкономить место в лаборатории или в производственном помещении
- Система регулирования температуры подложкодержателя (электрода) позволяет поддерживать значения от +5 до +400 °С
- Специальная конфигурация газового душа позволяет обеспечить высокий поток реакционных газов, и при этом оставаться в условиях низкого давления
- Система питания плазменного разряда с частотами 13.56 МГц и 100 кГц, переключение между которыми позволяет контролировать напряжения в плёнках
- Высокая производительность системы вакуумной откачки обеспечивает широкий диапазон рабочих давлений от 5 до 500 мТорр
- Линия подачи прекурсоров включает до 8 каналов
- Возможность использовать как жидкие, так и газообразные прекурсоры
- Возможность предварительного прогрева прекурсоров до 70 °С
- Вакуумная камера оснащена фланцем для присоединения загрузочного шлюза
- Возможность добавления опции загрузки «из кассеты в кассету»
- Возможность объединения разного типа установок в единый кластер
- Система цифрового управления позволяет полностью автоматизировать техпроцесс.
Область применения:
Создание алмазоподобных покрытий (устойчивых к повреждениям дисплеев, износостойких покрытий, прозрачных для ИК спектра защитных покрытий); создание Si3N4 и SiO2 покрытий для фотоники, пассивации и других применений; получение SiC покрытий.
