Установки плазмохимического осаждения с индуктивно-связанной плазмой | АкадемВак
ООО «АкадемВак». Вакуумное оборудование и инжиниринг.
Связаться с нами
ООО «АкадемВак». Вакуумное оборудование и инжиниринг.
Позвоните нам:+7 (383) 375-04-27
Контакты
Адрес
630090, г. Новосибирск,
ул. Инженерная 7/1, офис 36
Телефон
+7 (383) 375-04-27
Email
info@academvac.ru

Установки низкотемпературного плазмохимического осаждения с индуктивно-связанной плазмой

Серия установок AcademVac-ICPCVD предназначена для создания высококачественных покрытий при низкой температуре осаждения плёнки, что достигается за счёт процесса осаждения из газовой фазы, стимулированного индуктивно связанной плазмой (ICP CVD). Использование плазмы высокой плотности позволяет добиться выдающегося качества получаемых покрытий с минимальным воздействием на подложку.

Размер подложек

до 200 мм

Основные свойства:

  • Компактное исполнение, позволяющее сэкономить место в лаборатории или в производственном помещении
  • Система регулирования температуры подложкодержателя (электрода) позволяет поддерживать значения от +5 до +400 °С
  • Специальная конфигурация газового душа позволяет обеспечить высокий поток реакционных газов, и при этом оставаться в условиях низкого давления
  • Система питания индуктивного ВЧ разряда с частотой 13.56 МГц
  • Высокая производительность системы вакуумной откачки обеспечивает широкий диапазон рабочих давлений от 5 до 500 мТорр
  • Линия подачи прекурсоров включает до 8 каналов
  • Возможность использовать как жидкие, так и газообразные прекурсоры
  • Возможность предварительного прогрева прекурсоров до 70 °С
  • Вакуумная камера оснащена фланцем для присоединения загрузочного шлюза
  • Возможность добавления опции загрузки «из кассеты в кассету»
  • Возможность объединения разного типа установок в единый кластер
  • Система цифрового управления позволяет полностью автоматизировать техпроцесс

Область применения:

Создание алмазоподобных покрытий (устойчивых к повреждениям дисплеев, износостойких покрытий, прозрачных для ИК спектра защитных покрытий); создание Si3N4 и SiO2 покрытий для фотоники, пассивации и других применений; получение SiC покрытий.